闪烁体探测器的设计和应用正从传统的光电倍增管 (PMT) 转向硅光电倍增管 (SiPM) 探测器，这是因为硅光电倍增管具有结构紧凑（平均高度降低约 4”）、坚固耐用、电压低（在 5V 下运行，共功耗不到 150mW）和磁场不敏感等固有优点。
与 PMT 相比，SiPM 的功耗要低很多，通常是因为其工作电压要低 20 倍至 30 倍。对于闪烁光，SiPM 的光子检测效率高于 PMT。这有助于产生具有较小随机性和泊松噪声的较大信号。PMT 受磁场影响很大，而 SiPM 对磁场不敏感。SiPM 是极具吸引力的替代方案，具备固态传感器的所有优点，同时仍能实现 PMT 的低光探测能力。
SiPM 另一个常被忽视的优点是，它是离散且可分离的（与单片 PMT 不同）。凭借其这一优点，我们可以将更少的 SiPM 战略性地布置在晶体表面，从而在系统性能和成本之间实现平衡。我们可以利用其在闪烁光学方面的经验以及定制探测器组件以匹配 SiPM 配置的能力来优化这种平衡。
我们已经开发了独特的集成解决方案来真正利用SIPM的价值，并旨在最大程度地灵活地使用多种选择来满足您的需求。
产品范围从带有 PMT 和集成模拟电子器件的集成探测器的升级版本到带有 MCA 和数字读数的完全集成地即插即用型探测器。选项包括：
- 功能范围从基本计数到模拟和数字光谱
- 模块化结构，以提高满足连接和环境要求的能力
- 广泛的性能等级（功率、分辨率等）
- 可针对各种传感器尺寸和应用进行扩展
全面优化的整体传感器解决方案：
根据不同的应用，我们能够调整和优化晶体上的 SiPM 数量和布局，以实现最佳设计和性能之间的平衡。
使用我们的专业知识来检测器处理，包装和光学分析，我们开发了具有成本效益的解决方案，以提供出色的性能，包括优化：
- 优化 SiPM 的数量和位置以实现所需性能
- 探测器封装与 SiPM 配置相匹配
- 针对几乎所有几何形状的闪烁体提供 SiPM 解决方案
- 模拟输出选项：电荷灵敏、I-toV、TTL
- 在较宽的温度范围内进行增益补偿
- 防水封装和连接器选项
- 广泛的性能等级（功率、分辨率等）
坚固耐用：
是制造耐用、坚固辐射探测器的公认领导者，我们利用自己的专业知识开发出行业领先的 SiPM 集成解决方案。特点包括：
- 根据 2006 年 的 ANSI N42.34 标准进行设计和评估
- 防水封装和连接器选项
- 长效密封技术
| 闪烁体尺寸 2" x 2" | 节省的长度 | 增加的体积 |
|---|---|---|
| Nal(TI) 或 NaIL | 2.73” (69.3 mm) | 12.2 cu inch (200 ccm) |
| CLLB、LaBr3 或增强型 LaBr3 | 2.47” (62.8 mm) | 11.3 cu inch (185 ccm) |
| 闪烁体尺寸 2" x 4" x 4" | ||
| Nal(TI) 或 NaIL | 4.423" (112.344 mm) | 45 cu inch (737ccm) |
| 型号 |
闪烁体尺寸 |
电子器件 |
针对 Cs-137 同位素的 |
部件号 |
|---|---|---|---|---|
| Si38.1NI38.1D80 | 1.5" 直径 x 1.5" | I - V（正极） | ≤ 8% | 690-1113 |
| Si38.1NI38.1B80 | 1.5" 直径 x 1.5" | 电荷灵敏（正极） | ≤ 8% | 690-1119 |
| Si50.8NI50.8D75 | 2" 直径 x 2" | I - V（正极） | ≤ 7.5% | 690-1100-16-00 |
| Si50.8NI50.8B75 | 2" 直径 x 2" | 电荷灵敏（正极） | ≤ 7.5% | 690-1065-16-00 |
| Si76.2NI76.2D85 | 3" 直径 x 3" | I - V（正极） | ≤ 8.5% | 690-1105 |
| Si76.2NI76.2B85 | 3" 直径 x 3" | 电荷灵敏（正极） | ≤ 8.5% | 690-1096 |
| USB 输出适配器、SiPM 模拟 | 690-1071 | |||
| 型号 |
闪烁体尺寸 |
电子器件 |
针对 Cs-137 同位素的 |
销售图纸 |
|---|---|---|---|---|
| Si50.8NL50.8D75 | 2" 直径 x 2" | I - V（正极） | ≤ 7.5% | 690-1081-16-00 |
| Si50.8NL101.6D80 | 2" 直径 x 2" | I - V（正极） | ≤ 8% | 690-1109 |
| Si76.2NL76.2D85 | 3" 直径 x 3" | I - V（正极） | ≤ 8.5% | 690-1102 |
| Si50.8X101.6NL101.6D85 | 2" X 4" X 4" | I - V（正极） | ≤ 8.5% | 待定 |
| USB 输出适配器、SiPM 模拟 | 690-1071 | |||
| 闪烁体 | 型号 |
闪烁体尺寸 |
电子器件 |
针对 Cs-137 同位素的 |
销售图纸 |
|---|---|---|---|---|---|
| LaBr3 | Si38.1BL38.1D40 | 1.5" 直径 x 1.5" | I - V（正极） | ≤ 4% | 690-1118 |
| 增强型 LaBr | Si38.1BE38.1D35 | 1.5" 直径 x 1.5" | I - V（正极） | ≤ 3.5% | 690-1142 |
| 示例型号 |
基于 SiPM |
直径或长度 (mm) | 宽度 (mm) | 闪烁体 | 高度 (mm) | 电子器件 | 特殊 | 指定最大 PHR | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Si50.8x101.6NL101.6D85 |
Si |
50.8 | 101.6 | NaIL | 101.6 | D | 无 | 85 | ||||
| Si50.8NI50.8BW85 | Si | 50.8 |
“无”表示圆柱几何形状 |
NaI(Tl) | 50.8 | B | W | 85 | ||||
|
Si50.8NI50.8B75 |
Si | 50.8 | NaI(Tl) | 50.8 | B | 无 | 75 | |||||
| 编码 | 编码 | 编码 | Cs-137 的分辨率 | |||||||||
|
|
NI | NaI(Tl) | B | 模拟、CS、P | W | Well |
85 |
≤8.5% | ||||
| NL | NaIL | D | 模拟、 I-V、P |
X | 其他 | 75 | ≤7.5% | |||||
| CB | CLLB | - | 无 | |||||||||
| BE | 增强型 LaBr | |||||||||||
| BL | LaBr3 | |||||||||||
