GGG、SGGG、NGG 镓晶体均可以被用作生长半导体晶体层的基片。此工艺被称为“外延”，用于纳米技术和半导体制造。
我们晶体的晶格参数得到了很好的控制，表面抛光处理的质量也很高，可以实现完美的外延。
我们可以提供具有多种成分的晶体，这些晶体有着非常均匀且可控的晶格参数，直径最大可达 4”。 较大尺寸的晶体也可用于特定的应用，如低温应用。
我们拥有庞大的工业产能，可以提供独特的茶品以及数以千计的晶片。
- 直径可达 4" (100mm)。
- 可应要求提供特殊的配置和形状（正方形、矩形等）。
- 我们基片的抛光表面质量非常高，可随时用于外延（“epi-ready”）。
规格
特性
尺寸范围
| 组成 | 晶格参数（20ºC 时） | 定向 | |
|---|---|---|---|
| GGG | Gd3Ga5O12 | 12.383 A +/- 0.001 |
(111) |
| SGGG | 替代型 GGG | 12.497 A +/- 0.003 |
(111) |
| NGG | Nd3Ga5O12 | 12.509 A +/- 0.001 |
(111) |
| 其他特定的组分也可以根据需要生产 | |||
标准直径
- GGG (Gd3Ga5O12) 1”、2”、3”或 4”
- SGGG（替代型 GGG） 1”、2”、3”或 4”
- NGG (Nd3Ga5O12) 1" 或 2"
可提供厚度
- 任何 > 450 微米的厚度
标准尺寸和厚度的晶片有现货，可立即供应。亦可应要求提供其他形状和尺寸。
| 型号 | 尺寸 |
公差 |
定向 |
|---|---|---|---|
| GGG(001) 1"x0.5 |
1" 直径 x 500 μm 厚 |
直径：+/- 0.005” | 厚度：+/- 50 μm |
定向：(001) +/- 0.1° |
| GGG(110) 1"x0.5 | 1" 直径 x 500 μm 厚 |
直径：+/- 0.005” | 厚度：+/- 50 μm |
定向：(110) +/- 0.1° |
| GGG(111) 1"x0.5 | 1" 直径 x 500 μm 厚 |
直径：+/- 0.005” | 厚度：+/- 50 μm |
定向：(111) +/- 0.1° |
| GGG(001) 2"x0.5 | 2" 直径 x 500 μm 厚 |
直径：+/- 0.005” | 厚度：+/- 50 μm |
定向：(001) +/- 0.1° |
| GGG(110) 2"x0.5 | 2" 直径 x 500 μm 厚 |
直径：+/- 0.005” | 厚度：+/- 50 μm |
定向：(110) +/- 0.1° |
| GGG(111) 2"x0.5 | 2" 直径 x 500 μm 厚 |
直径：+/- 0.005” | 厚度：+/- 50 μm |
定向：(111) +/- 0.1° |
| GGG(001) 3"x0.5 | 3" 直径 x 500 μm 厚 |
直径：+/- 0.005” | 厚度：+/- 50 μm |
定向：(001) +/- 0.1° |
| GGG(111) 3"x0.5 | 3" 直径 x 500 μm 厚 |
直径：+/- 0.005” | 厚度：+/- 50 μm |
定向：(111) +/- 0.1° |
