钨酸镉 (CdWO4)) 是一种高密度、高原子序数的闪烁体，具有相对较高的光产额。最大发射波长为 475nm，总光输出为 12 至 15 光子数/keV。在双碱 PMT 上，其光产额为 NaI(Tl) 的 30% 至 50%。
高光输出和低余辉特性使其成为医疗和工业计算机断层扫描 (CT) 探测器中硅光电二极管的理想选择。它具有很高的抗辐射性，在 0 至 60oC 范围内，其温度依赖性很小。它的高密度特性使其成为 300+ keV 成像（用于行李、集装箱和车辆的安全扫描）的理想选择。
CdWO4 在室温 (25oC) 下的闪烁发射强度（γ射线照射）以及曲线相对平坦 (-0.1%/oC) 特性，这对于某些应用来说非常关键。如需更多技术信息，请参阅 IEEE NS，第 41 卷，第 4 期，1994 年 8 月。
CdWO4 的闪烁发射强度作为波长分布的一个函数，与光电二极管非常相配。CdWO4 已被用于制造低能量和高能量 CT 扫描仪。14000 ns 的长衰减时间对于 CT 扫描仪或其他采用电流模式读出电路的系统来说并不是缺点。
此外，CdWO4 具有低余辉特性。这对于防止生成的图像中出现眩光和条纹很重要，并且可以加快处理速度。
| 材料 | K-edge keV | 40keV mm | 60keV mm | 80keV mm | 100keV mm | 300keV mm | 600keV mm |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NaI | 33.2 | 0.43 | 1.3 | 2.7 | 4.9 | 49.2 | 99.2 |
| CsI | 33.2 | 0.29 | 0.8 | 1.8 | 3.3 | 36.5 | 79.3 |
| CdOW4 | 69.5 | 0.33 | 0.9 | 0.5 | 0.9 | 12.6 | 35.9 |
| BGO | 90.5 | 0.38 | 1.1 | 2.2 | 1.1 | 13.3 | 37.8 |
| LSO | 63.3 | 0.55 | 1.6 | 0.7 | 1.3 | 16.0 | 40.9 |
| LYSO | 63.3 | 0.58 | 1.65 | 0.8 | 1.4 | 17.3 | 43.2 |
CdWO4 几乎没有 228Th 和 226Ra 污染，适用于低放射性计数应用。（参考：核仪器和方法，A369(1996) 164-168。）
| 密度 [g/cm3] | 7.9 |
| 熔点 [K] | 1598 |
| 热膨胀系数 [C-1] | 10.2x10-6 |
| 解理面 | <010> |
| 硬度 (Mho) | 4 - 4.5 |
| 吸湿性 | 无 |
| 最大发射波长 [nm] | 475 |
| 截止低波长 [nm] | 330 |
| 最大发射波长下的折射率 | 2.2 - 2.3 |
| 主要衰减时间 [ns] | 14000 |
| 光产额 [光子数/keVγ] | 12 - 15 |
| 光电子产额 [NaI(Tl) 的 %]（对于γ射线） | 30 - 50 |
我们可以提供像素小至 0.3mm x 1mm 的阵列。在其他形式中，圆形晶体的直径范围为 50 毫米 x 最小 0.5 毫米；对于矩形尺寸（取决于几何形状），晶体的横截面通常可以达到 130 毫米 x 50 毫米或薄至 10 微米（取决于尺寸）。请联系圣戈班，了解具体应用和替代尺寸。
CdWO4 很容易沿着一个平面解理。这是制造过程中有助于产生抛光表面的重要属性。解理后的 CdWO4 可以制作成长度达 7 英寸的产品。
CdWO4 不吸湿，因此不需要进行密封封装。 晶体通常以块状或阵列形式提供，与光电二极管很匹配。
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